電洞移動率 發光二極體:完美顯示器–有機發光二極體-科技大觀園

發光二極體:完美顯示器–有機發光二極體-科技大觀園

它們的電洞移動率都很高,除了可幫助電洞從陽極移動至發光層外,還可以阻絕來自陰極的電子直接流至陽極。 目前最普遍的材料之一是 NPB,電洞移動率可達 5.1 × 10 -4 cm/Vs(註:Vs 是伏秒,Volt second 的縮寫),它受歡迎的原因在於合成容易且純化方便,也已經商業量產。
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成大研發快訊
先前的研究指出在單軸應變下的P型氮化鎵電洞移動率是取決於方向性,但是此效應對於AlGaN/GaN 電子移動率的影響需有更進一步的研究。 圖3(a)比較脈衝電流-電壓與直流電流-電壓的特性。在1.47 × 10-4 的單軸張力應變下,元件的暫態汲極電流有明顯地衰減
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完美顯示器— 有機發光二極體

 · PDF 檔案移動率及可以阻絕電洞的材料,來幫助電子 順利移至發光層。在理想狀況下,電子傳輸 速率最好與電洞移動率相當,但受限於實際 上有機材料的電子傳導速率遠小於電洞移動 率,因此各種類型的電子傳輸材料正在積極 地開發中,種類不勝枚舉,以下僅以Alq 3 及
半導體第三章

國 立 交 通 大 學

 · PDF 檔案的漏電,良好的電洞移動率,1000 度C 高溫穩定性中看出良好的矽化銥/氮氧化鑭鉿P 型金氧化電晶體元件整合特性。然而,在等效氧化層厚度1.2 奈米下卻觀察到不佳的平 帶電壓和高臨界電壓。因此,我們目標是發展出一種新的製程技術來解決這個問題。
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Af16 by 志光教育文化出版社
電洞移動率 μ p (cm /V-sec ) 1900 475 400 介電常數(F/cm) 16 11.9 13.1 電阻係數(Ω-cm)−1 47 2.3 105 108 2 少數載子平均壽命(sec) 10 −3 2.5 10 −3 ~10 −8
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1 半導體材料與特性 講義與作業

 · PDF 檔案第1 章 半導體材料與特性 講義與作業 一,本質半導體 1. 無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不摻雜,純矽Si) 2. 電子與電洞之密度相同,因皆由熱產生 3. 本質載子濃度 其中, B 為常數,與特定之半導體材導有關 Eg 與溫度之關係不重 k 為Boltzmann 常數=86×10-6 eV/ K
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國立交通大學機構典藏:具有形變通道之互補式金氧半元件製作與 …

伸張形變矽可提高電子與電洞移動率,壓縮形變矽鍺可提高電洞移動率,本實驗將 探討載子於不同晶向(100),(110)與通道方向上,行進,形變對載子移動率 的作用;此外,當形變通道厚度縮減後所遇到的鍺層間擴散,額外的合金散射,界面密 度的增加
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太陽能電池介紹-共價鍵與價電子_百度文庫

電洞等效於一個載有正電荷,且電荷量與電子相同的個體 ??1.6 ? 10 19 庫侖。 ?電洞的移動方向與電子相反。(補位作用) ?電子的移動率高於電洞的移動率。 ? 可藉由霍爾效應( Hall Effect )來證明電洞為一個帶正電荷的粒子。 ?電子流與電洞流: ?傳導帶中
科普寫作網路平臺

有機發光二極管材料系統簡介_圖文_百度文庫

發 光 層 的 Alq3 其 Tg 為 170C , 電 洞 傳 輸 層 之 TPD 的 Tg 為 60 C(TPD有高的電洞移動率,但Tg太低而元件壽命短)。 以TPD為基本架構而形成星狀結構之高分子m-MTDATA,其 Tg值為75C,若分子構造更進一步增大,可能提高為100C 以上。
PPT - 實驗六 : 以 希特夫法測離子遷移數 PowerPoint Presentation - ID:6157524

OLED材料簡介課件精品.ppt

OLED材料簡介課件精品.ppt,2004/04/06 國立彰化師範大學藍光實驗室 陳俊榮 有機發光二極體 (Organic Light Emitting Diode,OLED) 材料系統簡介 Reporter:陳俊榮 Adviser:郭艷光 博士 Date:2004/04/06 Outline Introduction OLED元件結構簡介 OLED元件材料
新發現:光可測量材料中不同載流子的霍爾效應 - 每日頭條

有機發光二極管材料系統簡介_圖文_百度文庫

有機發光二極管材料系統簡介_材料科學_工程科技_專業資料 7人閱讀|次下載 有機發光二極管材料系統簡介_材料科學_工程科技_專業資料。有機發光二極體 (Organic Light Emitting Diode,OLED) 材料系統簡介 Reporter:陳俊榮 Adviser:郭艷光 博士 Date:2004/04/06
開源證券:創新驅動未來 異質結引領光伏技術發展-財經新聞-新浪新聞中心

國立交通大學機構典藏:低臨界電壓雙金屬閘極金氧半電晶體製作 …

自我對準銥 氧化鑭鉿P型金氧半電晶體的優點為適當的5.3電子伏特之等效金屬功率數,+0.05伏特之低臨界電壓,在電場為-0.3 MV/cm下90 cm2/V-s之高電洞移動率以及20 mV之微小偏壓溫度不穩定性(在85度C,10 MV/cm以及一小時的條件下)。
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